مشخصات فناوری IRF542
مشخصات فنی Harris Corporation - IRF542 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - IRF542
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 100mOhm @ 17A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1450 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 59 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation IRF542 دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF542 | IRF540ZS | IRF5802 | IRF540Z |
| سازنده | Harris Corporation | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-220-3 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1450 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V | 88 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 59 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 6.8 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| سلسله | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 100 V | 150 V | 100 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 100mOhm @ 17A, 10V | 26.5mOhm @ 22A, 10V | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | 26.5mOhm @ 22A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | 92W (Tc) | 2W (Ta) | 92W (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 25A (Tc) | 36A (Tc) | 900mA (Ta) | 36A (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | D2PAK | Micro6™(TSOP-6) | TO-220AB |
IRF540ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A D2PAKIRF5802Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6IRF540ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A TO220ABIRF541Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF543Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF5801TRPBF MOSIRIRF540ZPBF MOSIRIRF540ZSPBF MOSIR
IRF540STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A D2PAKIRF5800TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 4A MICRO6IRF5800TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 4A MICRO6IRF540ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A TO220ABIRF5801TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6IRF5802TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOPIRF540ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A D2PAKIRF5802D2TRPBFIRIRF540STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF5620PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.