مشخصات فناوری IRF5802TR
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF5802TR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF5802TR
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | Micro6™(TSOP-6) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| بسته بندی کردن | Cut Tape (CT) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 88 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6.8 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF5802TR دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF5802TR | IRF5802TRPBF | IRF5801TRPBF | IRF543 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| سلسله | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| بسته بندی کردن | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | 2.2Ohm @ 360mA, 10V | 100mOhm @ 17A, 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | 150 V | 200 V | 80 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 88 pF @ 25 V | 88 pF @ 25 V | 88 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 900mA (Ta) | 900mA (Ta) | 600mA (Ta) | 25A (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) | TO-220AB |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-220-3 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6.8 nC @ 10 V | 6.8 nC @ 10 V | 3.9 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V |
بارگیری داده های IRF5802TR PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF5802TR - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6IRF5803D2TRPBF.IRIRF5801TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6IRF543Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF5802Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
IRF5620PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF5800TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 4A MICRO6IRF5802D2TRPBFIR
IRF5803D2TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A 8SOIRF5800TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 4A MICRO6IRF5803TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6IRF5803GTRPBFVBSEMIIRF542Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF5801TRPBF MOSIRIRF5803D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A 8SOIRF5803D2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A 8SOIRF5803D2Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 3.4A 8SOIRF5802TRPBF MOSIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.