مشخصات فناوری IRF5800TRPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF5800TRPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF5800TRPBF
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | Micro6™(TSOP-6) | |
سلسله | HEXFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 85mOhm @ 4A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 2W (Ta) | |
بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 535 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17 nC @ 10 V | |
نوع FET | P-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF5800TRPBF دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IRF5800TRPBF | IRF5801TRPBF | IRF540ZS | IRF543 |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Harris Corporation |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
کننده بسته بندی دستگاه | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) | D2PAK | TO-220AB |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 200 V | 100 V | 80 V |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 535 pF @ 25 V | 88 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17 nC @ 10 V | 3.9 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
FET ویژگی | - | - | - | - |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 85mOhm @ 4A, 10V | 2.2Ohm @ 360mA, 10V | 26.5mOhm @ 22A, 10V | 100mOhm @ 17A, 10V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4A (Ta) | 600mA (Ta) | 36A (Tc) | 25A (Tc) |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 10V |
نوع FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 92W (Tc) | 150W (Tc) |
سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
بارگیری داده های IRF5800TRPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF5800TRPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.