مشخصات فناوری IRFD9113
مشخصات فنی Vishay Siliconix - IRFD9113 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - IRFD9113
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 4-HVMDIP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.6Ohm @ 300mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | - | |
| بسته بندی / مورد | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | - | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 250 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 15 nC @ 15 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 600mA (Ta) | |
| شماره محصول پایه | IRFD9113 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix IRFD9113 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFD9113 | IRFD9020 | IRFD9123 | IRFD9014 |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| بسته بندی / مورد | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 250 pF @ 25 V | 570 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V | 270 pF @ 25 V |
| دمای عملیاتی | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 600mA (Ta) | 1.6A (Ta) | 1A (Ta) | 1.1A (Ta) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| شماره محصول پایه | IRFD9113 | IRFD9020 | IRFD9123 | IRFD9014 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 15 nC @ 15 V | 19 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | - | 1.3W (Ta) | - | 1.3W (Ta) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | 4V @ 1µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.6Ohm @ 300mA, 10V | 280mOhm @ 960mA, 10V | 600mOhm @ 600mA, 10V | 500mOhm @ 660mA, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 100 V | 60 V |
بارگیری داده های IRFD9113 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای IRFD9113 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
IRFD9020Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9123Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9014Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
IRFD9123Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9110Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD9120Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9120PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9110Harris Corporation0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
IRFD9120PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFD9120Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9024PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9120PBF-NDIRPB-FREEIRFD9113Harris Corporation-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNELIRFD9120 MOSHARRIS/MOTIRFD9014PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPIRFD9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD9024Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9020PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.