مشخصات فناوری IRFD9123
مشخصات فنی Harris Corporation - IRFD9123 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - IRFD9123
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 4-HVMDIP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 600mOhm @ 600mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | - | |
| بسته بندی / مورد | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | - | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 390 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation IRFD9123 دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFD9123 | IRFD9120 | IRFD9113 | IRFD9123 |
| سازنده | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 390 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسله | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 100 V | 60 V | 100 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | - | 1.3W (Ta) | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1A (Ta) | 1A (Ta) | 600mA (Ta) | 1A (Ta) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 15 nC @ 15 V | 18 nC @ 10 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 600mOhm @ 600mA, 10V | 600mOhm @ 600mA, 10V | 1.6Ohm @ 300mA, 10V | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| دمای عملیاتی | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
IRFF110IRIRFD9120Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9113Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 600MA 4DIPIRFD9120 MOSHARRIS/MOTIRFD9123Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9120Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9210PBF MOSIRIRFD9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFF120RHIRFF120IRIRFD9120PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9120PBF-NDIRPB-FREEIRFD9210PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 400MA 4DIPIRFD9210Vishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 400MA 4DIPIRFD9220PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 560MA 4DIPIRFD9123 MOSMOTOROLA
IRFD9120PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFD9113Harris Corporation-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.