مشخصات فناوری SH8K41GZETB
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - SH8K41GZETB ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - SH8K41GZETB
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 130mOhm @ 3.4A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 1.4W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 600pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6.6nC @ 5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.4A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | SH8K41 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor SH8K41GZETB دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SH8K41GZETB | SH8KA2GZETB | SH8KA4TB | SH8K2TB1 |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 130mOhm @ 3.4A, 10V | 28mOhm @ 8A, 10V | 21.4mOhm @ 9A, 10V | 30mOhm @ 6A, 10V |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP (5.0x6.0) |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | - | - | Logic Level Gate |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| شماره محصول پایه | SH8K41 | SH8KA2 | SH8KA4 | SH8K2 |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80V | 30V | 30V | 30V |
| قدرت - حداکثر | 1.4W | 2.8W | 3W | 2W |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| سلسله | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6.6nC @ 5V | 8nC @ 10V | 15.5nC @ 10V | 10.1nC @ 5V |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SMD, Gull Wing |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 600pF @ 10V | 330pF @ 15V | 640pF @ 15V | 520pF @ 10V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.4A | 8A | 9A | 6A |
بارگیری داده های SH8K41GZETB PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای SH8K41GZETB - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
SH8KA2GZETBRohm Semiconductor30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFETSH8KA4TBRohm Semiconductor30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFETSH8K2TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8SH8K3TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8
SH8M08GAGTDFAAI01SMARTSH8KA4SH8K26GZ0TB1Rohm Semiconductor40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
SH8K32LAPIS Technology
SH8K32TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8SH8K26 GZOTBLAPIS TechnologySH8KA2LAPIS TechnologySH8K32TBLAPIS TechnologySH8M11LAPIS TechnologySH8K5TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8SH8K5TBVBsemiSH8K32GZETBRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEXSH8K41LAPIS TechnologySH8K4TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.