مشخصات فناوری SH8K32TB1
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - SH8K32TB1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - SH8K32TB1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOP (5.0x6.0) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 65mOhm @ 4.5A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 2W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 500pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 10nC @ 5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.5A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | SH8K32 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor SH8K32TB1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SH8K32TB1 | SH8K3TB1 | SH8KA2GZETB | SH8K5TB1 |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 65mOhm @ 4.5A, 10V | 24mOhm @ 7A, 10V | 28mOhm @ 8A, 10V | 83mOhm @ 3.5A, 10V |
| سلسله | - | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60V | 30V | 30V | 30V |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOP (5.0x6.0) | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| شماره محصول پایه | SH8K32 | SH8K3 | SH8KA2 | SH8K5 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 10nC @ 5V | 11.8nC @ 5V | 8nC @ 10V | 3.5nC @ 5V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| قدرت - حداکثر | 2W | 2W (Ta) | 2.8W | 2W |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.5A | 7A (Ta) | 8A | 3.5A |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 500pF @ 10V | 600pF @ 10V | 330pF @ 15V | 140pF @ 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | - | - | Logic Level Gate |
SH8K26LAPIS TechnologySH8K32LAPIS TechnologySH8K3TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8SH8KA2GZETBRohm Semiconductor30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFETSH8K5TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
SH8K5TBVBsemiSH8K32TBLAPIS TechnologySH8K41GZETBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOPSH8K41LAPIS TechnologySH8K4TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8SH8K32GZETBRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEXSH8K26 GZOTBLAPIS TechnologySH8K26 GZ0TB1LAPIS TechnologySH8KA4SH8KA2LAPIS TechnologySH8K26GZ0TB1Rohm Semiconductor40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDLSH8K25LAPIS Technology
SH8K2TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.