مشخصات فناوری IXFH70N15
مشخصات فنی IXYS - IXFH70N15 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXFH70N15
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 4mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD (IXFH) | |
| سلسله | HiPerFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 28mOhm @ 35A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 300W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3600 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 180 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 70A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXFH70 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXFH70N15 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXFH70N15 | IXFH75N10 | IXFH60N65X2 | IXFH6N120P |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 780W (Tc) | 250W (Tc) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| شماره محصول پایه | IXFH70 | IXFH75 | IXFH60 | IXFH6 |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3600 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 6180 pF @ 25 V | 2830 pF @ 25 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسله | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Ultra X2 | HiPerFET™, Polar |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 28mOhm @ 35A, 10V | 20mOhm @ 37.5A, 10V | 52mOhm @ 30A, 10V | 2.4Ohm @ 500mA, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | 100 V | 650 V | 1200 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 180 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 107 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247 (IXTH) | TO-247AD (IXFH) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 4mA | 4V @ 4mA | 5.5V @ 4mA | 5V @ 1mA |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 70A (Tc) | 75A (Tc) | 60A (Tc) | 6A (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
بارگیری داده های IXFH70N15 PDF و مستندات IXYS را برای IXFH70N15 - IXYS بارگیری کنید.
IXFH75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO247ADIXFH60N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 60A TO247IXFH6N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 6A TO247ADIXFH76N07-12IXYSMOSFET N-CH 70V 76A TO247ADIXFH66N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 66A TO247ADIXFH75N10QIXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO247ADIXFH6N90IXYSMOSFET N-CH 900V 6A TO247ADIXFH74N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 74A TO247ADIXFH75N15IXYS / LittelfuseIXFH67N10IXYSMOSFET N-CH 100V 67A TO-247ADIXFH6N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 6A TO247ADIXFH70N20Q3IXYSMOSFET N-CH 200V 70A TO247ADIXFH6N100FIXYSMOSFET N-CH 1000V 6A TO247IXFH6N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 6A TO247ADIXFH76N07-11IXYSMOSFET N-CH 70V 76A TO247ADIXFH74N20IXYSMOSFET N-CH 200V 74A TO247ADIXFH7N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 7A TO247IXFH69N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 69A TO247AD| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.