مشخصات فناوری IXFH6N100Q
مشخصات فنی IXYS - IXFH6N100Q ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXFH6N100Q
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 2.5mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD (IXFH) | |
| سلسله | HiPerFET™, Q Class | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.9Ohm @ 3A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 180W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2200 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 48 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 1000 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXFH6 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXFH6N100Q دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXFH6N100Q | IXFH74N20P | IXFH60N60X3 | IXFH6N100 |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.9Ohm @ 3A, 10V | 34mOhm @ 37A, 10V | 51mOhm @ 30A, 10V | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسله | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Ultra X3 | HiPerFET™ |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2200 pF @ 25 V | 3300 pF @ 25 V | 3450 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 48 nC @ 10 V | 107 nC @ 10 V | 51 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 2.5mA | 5V @ 4mA | 5V @ 4mA | 4.5V @ 2.5mA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 1000 V | 200 V | 600 V | 1000 V |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| شماره محصول پایه | IXFH6 | IXFH74 | IXFH60 | IXFH6 |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 180W (Tc) | 480W (Tc) | 625W (Tc) | 180W (Tc) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A (Tc) | 74A (Tc) | 60A (Tc) | 6A (Tc) |
| بسته بندی کردن | Tube | Box | Tube | Tube |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247 | TO-247AD (IXFH) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
بارگیری داده های IXFH6N100Q PDF و مستندات IXYS را برای IXFH6N100Q - IXYS بارگیری کنید.
IXFH74N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 74A TO247ADIXFH60N60X3IXYSMOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247IXFH6N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 6A TO247ADIXFH69N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 69A TO247ADIXFH66N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 66A TO247ADIXFH6N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 6A TO247ADIXFH67N10IXYSMOSFET N-CH 100V 67A TO-247ADIXFH60N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 60A TO247ADIXFH6N100FIXYSMOSFET N-CH 1000V 6A TO247IXFH6N90IXYSMOSFET N-CH 900V 6A TO247ADIXFH75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO247ADIXFH60N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 60A TO247IXFH74N20IXYSMOSFET N-CH 200V 74A TO247ADIXFH70N20Q3IXYSMOSFET N-CH 200V 70A TO247ADIXFH60N50PIXYS / LittelfuseIXFH75N15IXYS / LittelfuseIXFH70N15IXYSMOSFET N-CH 150V 70A TO247ADIXFH75N10QIXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO247AD| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.