مشخصات فناوری FDN360P
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDN360P ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDN360P
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 80mOhm @ 2A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 298 pF @ 15 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDN360P دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDN360P | FDN360P | FDN359BN | FDN361AN |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2A (Ta) | 2A (Ta) | 2.7A (Ta) | 1.8A (Ta) |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 298 pF @ 15 V | 298 pF @ 15 V | 650 pF @ 15 V | 220 pF @ 15 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 80mOhm @ 2A, 10V | 80mOhm @ 2A, 10V | 46mOhm @ 2.7A, 10V | 100mOhm @ 1.8A, 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9 nC @ 10 V | 9 nC @ 10 V | 7 nC @ 5 V | 4 nC @ 5 V |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
FDN360NAMI Semiconductor/onsemiFDN360P-NLFairchild (onsemi)FDN360PonsemiMOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3FDN360P MOSFairchild (onsemi)FDN361AN_NLFairchild (onsemi)FDN360SIPUSEMIFDN359BNonsemiMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3FDN359BN_NLSKFDN359BN MOSFairchild (onsemi)FDN361ANFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3FDN361AN-NLFairchild (onsemi)FDN359AN-NLFairchild (onsemi)FDN359AN MOSFairchild (onsemi)FDN359BN-NLFairchild (onsemi)FDN360P.Fairchild (onsemi)FDN361AN MOSFairchild (onsemi)FDN359ANonsemiMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3FDN361ANonsemiMOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.