مشخصات فناوری FDN359BN
مشخصات فنی onsemi - FDN359BN ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDN359BN
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 46mOhm @ 2.7A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 650 pF @ 15 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 7 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | FDN359 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDN359BN دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDN359BN | FDN360P | FDN358P | FDN360P |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| شماره محصول پایه | FDN359 | - | FDN358 | FDN360 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 650 pF @ 15 V | 298 pF @ 15 V | 182 pF @ 15 V | 298 pF @ 15 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 46mOhm @ 2.7A, 10V | 80mOhm @ 2A, 10V | 125mOhm @ 1.5A, 10V | 80mOhm @ 2A, 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) | 2A (Ta) | 1.5A (Ta) | 2A (Ta) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 7 nC @ 5 V | 9 nC @ 10 V | 5.6 nC @ 10 V | 9 nC @ 10 V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
بارگیری داده های FDN359BN PDF و مستندات onsemi را برای FDN359BN - onsemi بارگیری کنید.
FDN358P MOSFairchild (onsemi)FDN360PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDN359AN-NLFairchild (onsemi)FDN358BNFairchild (onsemi)
FDN3599NFDN358PonsemiMOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3FDN360PonsemiMOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3FDN358PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDN360NAMI Semiconductor/onsemiFDN360SIPUSEMIFDN359BN MOSFairchild (onsemi)FDN360P MOSFairchild (onsemi)FDN359BN-NLFairchild (onsemi)FDN359BN_NLSKFDN359AN MOSFairchild (onsemi)FDN359ANonsemiMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3FDN358P-NLAMI Semiconductor/onsemiFDN360P-NLFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.