مشخصات فناوری FQP11P06
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FQP11P06 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FQP11P06
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±25V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 175mOhm @ 5.7A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 53W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 550 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FQP11P06 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP11P06 | FQP11N40C | FQP11N40 | FQP12N60 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 53W (Tc) | 135W (Tc) | 147W (Tc) | 180W (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 400 V | 400 V | 600 V |
| VGS (حداکثر) | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 550 pF @ 25 V | 1090 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 175mOhm @ 5.7A, 10V | 530mOhm @ 5.25A, 10V | 480mOhm @ 5.7A, 10V | 700mOhm @ 5.3A, 10V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) | 10.5A (Tc) | 11.4A (Tc) | 10.5A (Tc) |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
FQP12N40Fairchild (onsemi)FQP11N40ConsemiMOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3FQP11N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3FQP12N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3FQP11N40C MOSFairchild (onsemi)FQP11N60CFairchild (onsemi)FQP11N50CFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3FQP12N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 12A TO220-3FQP12N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP11N40onsemiMOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3FQP12N60onsemiMOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3FQP11N50CFonsemiMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3FQP12N20 MOSFairchild (onsemi)FQP12N20FSCFQP11N40CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP11N60Fairchild (onsemi)FQP12N65CFairchild (onsemi)FQP11P06onsemiMOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.