مشخصات فناوری FQP12N60
مشخصات فنی onsemi - FQP12N60 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQP12N60
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 700mOhm @ 5.3A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 180W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1900 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 54 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FQP1 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQP12N60 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQP12N60 | FQP11N50CF | FQP12N60 | FQP13N06L |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| سلسله | QFET® | FRFET® | QFET® | QFET® |
| شماره محصول پایه | FQP1 | - | - | FQP13 |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 54 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V | 6.4 nC @ 5 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 700mOhm @ 5.3A, 10V | 550mOhm @ 5.5A, 10V | 700mOhm @ 5.3A, 10V | 110mOhm @ 6.8A, 10V |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1900 pF @ 25 V | 2055 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) | 11A (Tc) | 10.5A (Tc) | 13.6A (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 180W (Tc) | 195W (Tc) | 180W (Tc) | 45W (Tc) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 5V, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 500 V | 600 V | 60 V |
بارگیری داده های FQP12N60 PDF و مستندات onsemi را برای FQP12N60 - onsemi بارگیری کنید.
FQP11N50CFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3FQP12N20 MOSFairchild (onsemi)FQP12N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3FQP13N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3FQP11P06onsemiMOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3FQP11N60CFairchild (onsemi)FQP11N50CFonsemiMOSFET N-CH 500V 11A TO220-3FQP12N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 12A TO220-3FQP12N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP12N65CFairchild (onsemi)FQP12P10onsemiMOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3FQP11N60Fairchild (onsemi)FQP12P10 MOSFairchild (onsemi)FQP12N40Fairchild (onsemi)FQP12P20onsemiMOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3FQP11P06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP12N20FSCFQP13N06LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.