مشخصات فناوری FES16BT
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FES16BT ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FES16BT
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 950 mV @ 8 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 100 V | |
| تکنولوژی | Standard | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-2 | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 35 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | |
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 100 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 16A | |
| خازن @ VR، F | 170pF @ 4V, 1MHz |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FES16BT دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FES16BT | FES16CT | FES16DT-E3/45 | FES16GT-E3/45 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220AC | TO-220AC |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 50 ns |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 16A | 16A | 16A | 16A |
| سلسله | - | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 100 V | 150 V | 200 V | 400 V |
| تکنولوژی | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 950 mV @ 8 A | 950 mV @ 8 A | 975 mV @ 16 A | 1.3 V @ 16 A |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 150 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 400 V |
| خازن @ VR، F | 170pF @ 4V, 1MHz | 170pF @ 4V, 1MHz | - | - |
FES16CTonsemiDIODE GEN PURP 150V 16A TO220-2FES16DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 16A TO220ACFES16GT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 16A TO220ACFES16FT MOSGI
FES16DTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16GTonsemiDIODE GEN PURP 400V 16A TO220-2FES16HTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16DTRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16FT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 16A TO220ACFES16HTonsemiDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16JTFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEFES16BTonsemiDIODE GEN PURP 100V 16A TO220-2FES16FTonsemiDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2FES16DTRonsemiDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16DTonsemiDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16FTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2FES16ATonsemiDIODE GEN PURP 50V 16A TO220-2
FES10DT-E3/45Electro-Films (EFI) / Vishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.