مشخصات فناوری FES16GT-E3/45
مشخصات فنی Vishay General Semiconductor - Diodes Division - FES16GT-E3/45 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay General Semiconductor - Diodes Division - FES16GT-E3/45
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.3 V @ 16 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 400 V | |
| تکنولوژی | Standard | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AC | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 50 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | |
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 400 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 16A | |
| خازن @ VR، F | - | |
| شماره محصول پایه | FES16 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16GT-E3/45 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FES16GT-E3/45 | FES16DTR | FES16DT | FES16JTR |
| سازنده | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| سلسله | - | - | - | - |
| خازن @ VR، F | - | 170pF @ 4V, 1MHz | 170pF @ 4V, 1MHz | 145pF @ 4V, 1MHz |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 600 V |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 50 ns | 35 ns | 35 ns | 50 ns |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 400 V | 200 V | 200 V | 600 V |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AC | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| شماره محصول پایه | FES16 | - | FES16 | FES16 |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.3 V @ 16 A | 950 mV @ 8 A | 950 mV @ 8 A | 1.5 V @ 8 A |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| تکنولوژی | Standard | Standard | Standard | Standard |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 16A | 16A | 16A | 16A |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
بارگیری داده های FES16GT-E3/45 PDF و مستندات Vishay General Semiconductor - Diodes Division را برای FES16GT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division بارگیری کنید.
FES16DTRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16DTonsemiDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2
FES16JT-E/45Electro-Films (EFI) / VishayFES1D TRTBFAGORFES16JTRonsemiDIODE GEN PURP 600V 16A TO220-2FES16HTonsemiDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2
FES16DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 16A TO220ACFES16FTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2FES16FT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 16A TO220ACFES16JTFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEFES16FT MOSGIFES16HTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16GTonsemiDIODE GEN PURP 400V 16A TO220-2FES16JTonsemiDIODE GEN PURP 600V 16A TO220-2FES16FTonsemiDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2FES1DSRTG HE3FAGORFES16JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 16A TO220ACFES16DTRonsemiDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.