مشخصات فناوری SQD100N04-3M6L_GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SQD100N04-3M6L_GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SQD100N04-3M6L_GE3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 3.6mOhm @ 20A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 136W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6700 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 105 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 100A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | SQD100 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SQD100N04-3M6L_GE3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SQD100N04-3M6L_GE3 | SQD15N06-42L_GE3 | SQD100N03-3M2L | SQD100A60 |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | SANREX | |
| شماره محصول پایه | SQD100 | SQD15 | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6700 pF @ 25 V | 535 pF @ 25 V | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 105 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | TO-252AA | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| سلسله | - | TrenchFET® | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 100A (Tc) | 15A (Tc) | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | 60 V | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 3.6mOhm @ 20A, 10V | 42mOhm @ 10A, 10V | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 136W (Tc) | 37W (Tc) | - | - |
بارگیری داده های SQD100N04-3M6L_GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SQD100N04-3M6L_GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
SQD15N06-42L_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 15A TO252SQD100N03-3M2LSQD100A60SANREXIGBT ModuleSQD10N30-330H
SQD15N06-42LElectro-Films (EFI) / VishaySQD100N03-3m4Electro-Films (EFI) / VishaySQD100N04-3m6LElectro-Films (EFI) / VishaySQD150M60SANREXIGBT ModuleSQD100A60SSANREXIGBT ModuleSQD100N02-3M5LSQD100N04-3M6VISHSQD100N03-3m2L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQD100N04-3MLVISHSQD15N06-42L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQD10950E_GE3VishaySQD15N06-42L-T4GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQD100M60SANREXIGBT ModuleSQD10N30-330H-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.