مشخصات فناوری SIR188DP-T1-RE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SIR188DP-T1-RE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SIR188DP-T1-RE3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.6V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | PowerPAK® SO-8 | |
سلسله | TrenchFET® Gen IV | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 3.85mOhm @ 10A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | PowerPAK® SO-8 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1920 pF @ 30 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 44 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 7.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 25.5A (Ta), 60A (Tc) | |
شماره محصول پایه | SIR188 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SIR188DP-T1-RE3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | SIR188DP-T1-RE3 | SIR182DP-T1-RE3 | SIR186LDP-T1-RE3 | SIR402DP-T1-GE3 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
شماره محصول پایه | SIR188 | SIR182 | - | SIR402 |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 30 V |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 3.85mOhm @ 10A, 10V | 2.8mOhm @ 15A, 10V | 4.4mOhm @ 15A, 10V | 6mOhm @ 20A, 10V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
سلسله | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® |
کننده بسته بندی دستگاه | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.6V @ 250µA | 3.6V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
بسته بندی / مورد | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1920 pF @ 30 V | 3250 pF @ 30 V | 1980 pF @ 30 V | 1700 pF @ 15 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 25.5A (Ta), 60A (Tc) | 60A (Tc) | 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) | 35A (Tc) |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 44 nC @ 10 V | 64 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 7.5V, 10V | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | 69.4W (Tc) | 5W (Ta), 57W (Tc) | 4.2W (Ta), 36W (Tc) |
بارگیری داده های SIR188DP-T1-RE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SIR188DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.