مشخصات فناوری SIA462DJ-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SIA462DJ-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SIA462DJ-T1-GE3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | PowerPAK® SC-70-6 Single | |
سلسله | TrenchFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 18mOhm @ 9A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | PowerPAK® SC-70-6 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 570 pF @ 15 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12A (Tc) | |
شماره محصول پایه | SIA462 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SIA462DJ-T1-GE3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | SIA462DJ-T1-GE3 | SIA461DJ-T1-GE3 | SIA469DJ-T1-GE3 | SIA471DJ-T1-GE3 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) | 15.6W (Tc) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±8V | ±20V | +16V, -20V |
سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® Gen IV |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17 nC @ 10 V | 45 nC @ 8 V | 15 nC @ 4.5 V | 27.8 nC @ 10 V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 18mOhm @ 9A, 10V | 33mOhm @ 5.2A, 4.5V | 26.5mOhm @ 5A, 10V | 14mOhm @ 10A, 10V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بسته بندی / مورد | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 |
FET ویژگی | - | - | - | - |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12.9A (Ta), 30.3A (Tc) |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
شماره محصول پایه | SIA462 | SIA461 | SIA469 | SIA471 |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 20 V | 30 V | 30 V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 570 pF @ 15 V | 1300 pF @ 10 V | 1020 pF @ 15 V | 1170 pF @ 15 V |
نوع FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
کننده بسته بندی دستگاه | PowerPAK® SC-70-6 Single | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Single | PowerPAK® SC-70-6 |
بارگیری داده های SIA462DJ-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SIA462DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.