مشخصات فناوری SI9410BDY-T1-E3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI9410BDY-T1-E3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI9410BDY-T1-E3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 24mOhm @ 8.1A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.5W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 23 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | SI9410 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI9410BDY-T1-E3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SI9410BDY-T1-E3 | SI9410BDY-T1-GE3 | SI9410DY-T1-E3 | SI9410B |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | VISHAT | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 24mOhm @ 8.1A, 10V | 24mOhm @ 8.1A, 10V | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) | 6.2A (Ta) | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| شماره محصول پایه | SI9410 | SI9410 | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | - |
| سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 23 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V | - | - |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | - | - |
بارگیری داده های SI9410BDY-T1-E3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI9410BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
SI9410DY-T1-E3VISHATSI9410BElectro-Films (EFI) / VishaySi9410ADY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI9410BDYElectro-Films (EFI) / VishaySI9410DY-TIElectro-Films (EFI) / VishaySi9407DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI9410DYFairchild (onsemi)SI9410BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOSI9410BDY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySi9410DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI9410DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySi9407DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI9410DY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI9410ADYElectro-Films (EFI) / VishaySI9420DYElectro-Films (EFI) / VishaySI9410BDY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySi9410ADY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI9410SI| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.