مشخصات فناوری SI7911DN-T1-E3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI7911DN-T1-E3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI7911DN-T1-E3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 51mOhm @ 5.7A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 1.3W | |
| بسته بندی / مورد | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| بسته بندی کردن | Cut Tape (CT) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | - | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 15nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.2A | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | SI7911 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI7911DN-T1-E3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SI7911DN-T1-E3 | SI7913DN-T1-E3 | SI7905DN-T1-E3 | SI7922DN-T1-E3 |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| بسته بندی / مورد | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| کننده بسته بندی دستگاه | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 15nC @ 4.5V | 24nC @ 4.5V | 30nC @ 10V | 8nC @ 10V |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| قدرت - حداکثر | 1.3W | 1.3W | 20.8W | 1.3W |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 51mOhm @ 5.7A, 4.5V | 37mOhm @ 7.4A, 4.5V | 60mOhm @ 5A, 10V | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| بسته بندی کردن | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسله | - | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | - | - | 880pF @ 20V | - |
| شماره محصول پایه | SI7911 | SI7913 | SI7905 | SI7922 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 20V | 40V | 100V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.2A | 5A | 6A | 1.8A |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3.5V @ 250µA |
بارگیری داده های SI7911DN-T1-E3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI7911DN-T1-E3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
SI7913DNVishaySI7904DN-T1SISI7913DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8SI7905DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8SI7922DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8SI7909DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8SI7913DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7922DNElectro-Films (EFI) / VishaySI7913DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8SI7911DNElectro-Films (EFI) / VishaySI7922DN-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI7905DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8SI7905DN-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7904DNElectro-Films (EFI) / VishaySI7904DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8SI7913DN-T1-G3EElectro-Films (EFI) / VishaySI7911DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8SI7905DNVishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.