مشخصات فناوری SI6463BDQ-T1-E3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI6463BDQ-T1-E3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI6463BDQ-T1-E3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 800mV @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-TSSOP | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 15mOhm @ 7.4A, 4.5V | |
| بسته بندی / مورد | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Cut Tape (CT) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 5 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | SI6463 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-E3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SI6463BDQ-T1-E3 | SI6465DQ-T1-E3 | SI6459BDQ-T1-E3 | SI6463DQ |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 15mOhm @ 7.4A, 4.5V | 12mOhm @ 8.8A, 4.5V | 115mOhm @ 2.7A, 10V | 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V |
| بسته بندی کردن | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | PowerTrench® |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) | 8.8A (Ta) | 2.2A (Ta) | 8.8A (Ta) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 800mV @ 250µA | 450mV @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 8 V | 60 V | 20 V |
| شماره محصول پایه | SI6463 | SI6465 | SI6459 | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 5 V | 80 nC @ 4.5 V | 22 nC @ 10 V | 66 nC @ 4.5 V |
| بسته بندی / مورد | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
بارگیری داده های SI6463BDQ-T1-E3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI6463BDQ-T1-E3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
SI6465DQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
SI6463DQ-T1Electro-Films (EFI) / Vishay
SI6447DQSISI6459BDQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.2A 8TSSOPSI6463DQ-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI6465DQSISI6447DQ-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI6463BDQElectro-Films (EFI) / VishaySI6463DQFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFETSI6466ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOPSI6463BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI6463ADQ-T1Silicon PowerSI6466DQFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETSI6459BDQ-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI6463BDQ-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI6465DQ-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI6443DQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOPSI6459DQ-T1Electro-Films (EFI) / Vishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.