مشخصات فناوری SI4992EY-T1-E3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI4992EY-T1-E3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI4992EY-T1-E3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 48mOhm @ 4.8A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 1.4W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | - | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 21nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 75V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.6A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | SI4992 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI4992EY-T1-E3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SI4992EY-T1-E3 | SI4973DY-T1-E3 | SI4974DY-T1-E3 | SI4973DY-T1-GE3 |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| قدرت - حداکثر | 1.4W | 1.1W | 1.1W | 1.1W |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| شماره محصول پایه | SI4992 | SI4973 | SI4974 | SI4973 |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 48mOhm @ 4.8A, 10V | 23mOhm @ 7.6A, 10V | 19mOhm @ 8A, 10V | 23mOhm @ 7.6A, 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 21nC @ 10V | 56nC @ 10V | 11nC @ 4.5V | 56nC @ 10V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.6A | 5.8A | 6A, 4.4A | 5.8A |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 75V | 30V | 30V | 30V |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | - | - | - | - |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بارگیری داده های SI4992EY-T1-E3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI4992EY-T1-E3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
SI4982DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4982DYVISSI4973DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOICSI4992EYVISSI4982DY-TElectro-Films (EFI) / VishaySI4982DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4980DYVISSi4974ADY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4976DY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI4980DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4980DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4974DYVISSI4974DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOICSI4973DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOICSI4978DY-T1-E3VISHATSI4980DY-T1-E3VBSEMISI4992EY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOICSI4976DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.