مشخصات فناوری SI4812BDY-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI4812BDY-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI4812BDY-T1-GE3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | LITTLE FOOT® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 16mOhm @ 9.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.4W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 13 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7.3A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | SI4812 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI4812BDY-T1-GE3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SI4812BDY-T1-GE3 | SI4812BDY-T1-E3 | SI4810DY-T1-E3 | SI4812DY-T1-E3 |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Electro-Films (EFI) / Vishay | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 16mOhm @ 9.5A, 10V | 16mOhm @ 9.5A, 10V | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.4W (Ta) | 1.4W (Ta) | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | - | - |
| شماره محصول پایه | SI4812 | SI4812 | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7.3A (Ta) | 7.3A (Ta) | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
| سلسله | LITTLE FOOT® | LITTLE FOOT® | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 13 nC @ 5 V | 13 nC @ 5 V | - | - |
بارگیری داده های SI4812BDY-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI4812BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
SI4810DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4812BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOSI4812DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4812DYSISI4812DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4812BDYVISSI4812BDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4814DYSISI4810DYSILICONIXSI4814BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOICSI4810BDY-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4814Electro-Films (EFI) / VishaySI4810DY-T1Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4810DY-TI-E3Silicon PowerSI4812BDY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4810DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4812DY-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4812DY-T1-E3.VIS| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.