مشخصات فناوری SI4670DY-T1-E3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI4670DY-T1-E3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI4670DY-T1-E3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.2V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 23mOhm @ 7A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 2.8W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 680pF @ 13V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 25V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | SI4670 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI4670DY-T1-E3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SI4670DY-T1-E3 | SI4670DY-T1-GE3 | SI4682-A10-GM | SI466A |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Skyworks Solutions Inc. | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 48-VFQFN Exposed Pad | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tray | - |
| سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8A | 8A | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | - | - |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 25V | 25V | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 48-QFN (7x7) | - |
| قدرت - حداکثر | 2.8W | 2.8W | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 680pF @ 13V | 680pF @ 13V | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| شماره محصول پایه | SI4670 | SI4670 | SI4682 | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 23mOhm @ 7A, 10V | 23mOhm @ 7A, 10V | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18nC @ 10V | 18nC @ 10V | - | - |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C | - |
بارگیری داده های SI4670DY-T1-E3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI4670DY-T1-E3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
SI4682-A10-GMSkyworks Solutions Inc.RF RCVR FM 76MHZ-108MHZ 48QFNSI466AElectro-Films (EFI) / Vishay
SI4682DYVISSI4682DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A 8SOSI4670Electro-Films (EFI) / VishaySI4660DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 23.1A 8SOSI4666DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 16.5A 8SOSI4682DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A 8SOSI4670DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4670DY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4670DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOICSI4674DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4662DY-T1-GE3VBSEMISi4666DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4668DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 16.2A 8SOSI4684Electro-Films (EFI) / VishaySI4683-A10-GMRSkyworks Solutions Inc.RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 48QFNSI4660DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.