مشخصات فناوری SI4628DY-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI4628DY-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI4628DY-T1-GE3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | |
سلسله | SkyFET®, TrenchFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 3mOhm @ 20A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3450 pF @ 15 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 87 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 38A (Tc) | |
شماره محصول پایه | SI4628 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI4628DY-T1-GE3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | SI4628DY-T1-GE3 | SI4630DY-T1-E3 | SI4630DY-T1-GE3 | SI4621DY-T1-E3 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 38A (Tc) | 40A (Tc) | 40A (Tc) | 6.2A (Tc) |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FET ویژگی | - | - | - | Schottky Diode (Isolated) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±16V | ±16V | ±20V |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 3mOhm @ 20A, 10V | 2.7mOhm @ 20A, 10V | 2.7mOhm @ 20A, 10V | 54mOhm @ 5A, 10V |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 3V @ 250µA |
سلسله | SkyFET®, TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | LITTLE FOOT® |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 25 V | 25 V | 20 V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
شماره محصول پایه | SI4628 | SI4630 | SI4630 | SI4621 |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3450 pF @ 15 V | 6670 pF @ 15 V | 6670 pF @ 15 V | 450 pF @ 10 V |
کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 87 nC @ 10 V | 161 nC @ 10 V | 161 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
بارگیری داده های SI4628DY-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI4628DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.