مشخصات فناوری SI3552DV-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI3552DV-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI3552DV-T1-GE3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA (Min) | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | 6-TSOP | |
سلسله | TrenchFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 105mOhm @ 2.5A, 10V | |
قدرت - حداکثر | 1.15W | |
بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | - | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 3.2nC @ 5V | |
FET ویژگی | Logic Level Gate | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.5A | |
پیکر بندی | N and P-Channel | |
شماره محصول پایه | SI3552 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI3552DV-T1-GE3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | SI3552DV-T1-GE3 | SI3585DV-T1-E3 | SI3552DV-T1-E3 | SI3585CDV-T1-GE3 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 3.2nC @ 5V | 3.2nC @ 4.5V | 3.2nC @ 5V | 4.8nC @ 10V |
شماره محصول پایه | SI3552 | SI3585 | SI3552 | SI3585 |
سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | 20V | 30V | 20V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | - | - | - | 150pF @ 10V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2.5A | 2A, 1.5A | 2.5A | 3.9A, 2.1A |
پیکر بندی | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA (Min) | 600mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA (Min) | 1.5V @ 250µA |
قدرت - حداکثر | 1.15W | 830mW | 1.15W | 1.4W, 1.3W |
FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
کننده بسته بندی دستگاه | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 105mOhm @ 2.5A, 10V | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V | 105mOhm @ 2.5A, 10V | 58mOhm @ 2.5A, 4.5V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
بارگیری داده های SI3552DV-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI3552DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.