مشخصات فناوری SI3475DV-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI3475DV-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI3475DV-T1-GE3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-TSOP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.61Ohm @ 900mA, 10V | |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| بسته بندی کردن | Cut Tape (CT) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 500 pF @ 50 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 950mA (Tc) | |
| شماره محصول پایه | SI3475 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI3475DV-T1-GE3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SI3475DV-T1-GE3 | SI3474DV-T1-GE3 | SI3481DV-T1-E3 | SI3483CDV-T1-E3 |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| کننده بسته بندی دستگاه | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 950mA (Tc) | 3.8A (Tc) | 4A (Ta) | 8A (Tc) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 100 V | 30 V | 30 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| شماره محصول پایه | SI3475 | SI3474 | SI3481 | SI3483 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.61Ohm @ 900mA, 10V | 126mOhm @ 2A, 10V | 48mOhm @ 5.3A, 10V | 34mOhm @ 6.1A, 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 500 pF @ 50 V | 196 pF @ 50 V | - | 1000 pF @ 15 V |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| سلسله | - | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| بسته بندی / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| بسته بندی کردن | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18 nC @ 10 V | 10.4 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بارگیری داده های SI3475DV-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI3475DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
SI3474DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOPSI3481DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 4A 6TSOPSI3483CDV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
SI3477DV-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySi3474DV-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI3483CDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
SI3482-A01-GMRSkyworks Solutions Inc.IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFNSI3473DDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOPSI3473DV-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI3481DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 4A 6TSOPSI3475DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOPSI3473DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOPSI3476DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOPSI3473DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOPSi3483CDV-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI3477DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 8A 6TSOPSI3473DV-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI3475DV-T1-E3 code AIElectro-Films (EFI) / Vishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.