مشخصات فناوری SI1315DL-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI1315DL-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI1315DL-T1-GE3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 800mV @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±8V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | SC-70-3 | |
سلسله | TrenchFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 336mOhm @ 800mA, 4.5V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 300mW (Ta), 400mW (Tc) | |
بسته بندی / مورد | SC-70, SOT-323 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 112 pF @ 4 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 3.4 nC @ 4.5 V | |
نوع FET | P-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 8 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 900mA (Tc) | |
شماره محصول پایه | SI1315 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI1315DL-T1-GE3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | SI1315DL-T1-GE3 | SI1307DL-T1-E3 | SI1305EDL-T1-E3 | SI1400DL-T1-GE3 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
بسته بندی / مورد | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 800mV @ 250µA | 450mV @ 250µA (Min) | 450mV @ 250µA (Min) | 600mV @ 250µA (Min) |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 900mA (Tc) | 850mA (Ta) | 860mA (Ta) | 1.6A (Ta) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | - | TrenchFET® |
کننده بسته بندی دستگاه | SC-70-3 | SC-70-3 | SC-70-3 | SC-70-6 |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 8 V | 12 V | 8 V | 20 V |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
دمای عملیاتی | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 3.4 nC @ 4.5 V | 5 nC @ 4.5 V | 4 nC @ 4.5 V | 4 nC @ 4.5 V |
نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 300mW (Ta), 400mW (Tc) | 290mW (Ta) | 290mW (Ta) | 568mW (Ta) |
شماره محصول پایه | SI1315 | SI1307 | SI1305 | SI1400 |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 112 pF @ 4 V | - | - | - |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 336mOhm @ 800mA, 4.5V | 290mOhm @ 1A, 4.5V | 280mOhm @ 1A, 4.5V | 150mOhm @ 1.7A, 4.5V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (حداکثر) | ±8V | ±8V | ±8V | ±12V |
بارگیری داده های SI1315DL-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI1315DL-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.