مشخصات فناوری SI1058X-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI1058X-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI1058X-T1-GE3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.55V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±12V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | SC-89 (SOT-563F) | |
سلسله | TrenchFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 91mOhm @ 1.3A, 4.5V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 236mW (Ta) | |
بسته بندی / مورد | SOT-563, SOT-666 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 380 pF @ 10 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 5.9 nC @ 5 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) | |
شماره محصول پایه | SI1058 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI1058X-T1-GE3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | SI1058X-T1-GE3 | SI1050X-T1-GE3 | SI1050X-T1-E3 | SI1069X-T1-GE3 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 91mOhm @ 1.3A, 4.5V | 86mOhm @ 1.34A, 4.5V | 86mOhm @ 1.34A, 4.5V | 184mOhm @ 940mA, 4.5V |
سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 8 V | 8 V | 20 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) | 1.34A (Ta) | 1.34A (Ta) | 940mA (Ta) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.55V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 5.9 nC @ 5 V | 11.6 nC @ 5 V | 11.6 nC @ 5 V | 6.86 nC @ 5 V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 236mW (Ta) | 236mW (Ta) | 236mW (Ta) | 236mW (Ta) |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
بسته بندی / مورد | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 380 pF @ 10 V | 585 pF @ 4 V | 585 pF @ 4 V | 308 pF @ 10 V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
شماره محصول پایه | SI1058 | SI1050 | SI1050 | SI1069 |
کننده بسته بندی دستگاه | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
VGS (حداکثر) | ±12V | ±5V | ±5V | ±12V |
بارگیری داده های SI1058X-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI1058X-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.