مشخصات فناوری SI1037X-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI1037X-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI1037X-T1-GE3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 450mV @ 250µA (Min) | |
VGS (حداکثر) | ±8V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | SC-89 (SOT-563F) | |
سلسله | TrenchFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 195mOhm @ 770mA, 4.5V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 170mW (Ta) | |
بسته بندی / مورد | SOT-563, SOT-666 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 5.5 nC @ 4.5 V | |
نوع FET | P-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 770mA (Ta) | |
شماره محصول پایه | SI1037 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI1037X-T1-GE3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | SI1037X-T1-GE3 | SI1039X-T1-E3 | SI1032X-T1-E3 | SI1046R-T1-E3 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 12 V | 20 V | 20 V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
بسته بندی / مورد | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SC-89, SOT-490 | SC-75, SOT-416 |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 770mA (Ta) | 870mA (Ta) | 200mA (Ta) | 606mA ( Ta) |
شماره محصول پایه | SI1037 | SI1039 | SI1032 | SI1046 |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
نوع FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 5.5 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 4.5 V | 0.75 nC @ 4.5 V | 1.49 nC @ 5 V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
کننده بسته بندی دستگاه | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) | SC-89-3 | SC-75A |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 170mW (Ta) | 170mW (Ta) | 300mW (Ta) | 250mW (Ta) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 450mV @ 250µA (Min) | 450mV @ 250µA (Min) | 1.2V @ 250µA | 950mV @ 250µA |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 195mOhm @ 770mA, 4.5V | 165mOhm @ 870mA, 4.5V | 5Ohm @ 200mA, 4.5V | 420mOhm @ 606mA, 4.5V |
VGS (حداکثر) | ±8V | ±8V | ±6V | ±8V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
بارگیری داده های SI1037X-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI1037X-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.