مشخصات فناوری SI1022R-T1-GE3
مشخصات فنی Vishay Siliconix - SI1022R-T1-GE3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - SI1022R-T1-GE3
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | SC-75A | |
سلسله | TrenchFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.25Ohm @ 500mA, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 250mW (Ta) | |
بسته بندی / مورد | SC-75, SOT-416 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 30 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 0.6 nC @ 4.5 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 330mA (Ta) | |
شماره محصول پایه | SI1022 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix SI1022R-T1-GE3 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | SI1022R-T1-GE3 | SI1021R-T1-E3 | SI1021R-T1-GE3 | SI1022R-T1-E3 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
کننده بسته بندی دستگاه | SC-75A | SC-75A | SC-75A | SC-75A |
شماره محصول پایه | SI1022 | SI1021 | SI1021 | SI1022 |
سلسله | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 250mW (Ta) | 250mW (Ta) | 250mW (Ta) | 250mW (Ta) |
نوع FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 0.6 nC @ 4.5 V | 1.7 nC @ 15 V | 1.7 nC @ 15 V | 0.6 nC @ 4.5 V |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.25Ohm @ 500mA, 10V | 4Ohm @ 500mA, 10V | 4Ohm @ 500mA, 10V | 1.25Ohm @ 500mA, 10V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 30 pF @ 25 V | 23 pF @ 25 V | 23 pF @ 25 V | 30 pF @ 25 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 330mA (Ta) | 190mA (Ta) | 190mA (Ta) | 330mA (Ta) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بسته بندی / مورد | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
بارگیری داده های SI1022R-T1-GE3 PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای SI1022R-T1-GE3 - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.