مشخصات فناوری IRFU9110PBF
مشخصات فنی Vishay Siliconix - IRFU9110PBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - IRFU9110PBF
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-251AA | |
سلسله | - | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 200 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 8.7 nC @ 10 V | |
نوع FET | P-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IRFU9110 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix IRFU9110PBF دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IRFU9110PBF | IRFU9110 | IRFU9120NPBF | IRFU9210 |
سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 40W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) | 3.1A (Tc) | 6.6A (Tc) | 1.9A (Tc) |
شماره محصول پایه | IRFU9110 | IRFU9 | - | IRFU9 |
کننده بسته بندی دستگاه | TO-251AA | TO-251AA | IPAK (TO-251AA) | TO-251AA |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V | 480mOhm @ 3.9A, 10V | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 8.7 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 8.9 nC @ 10 V |
FET ویژگی | - | - | - | - |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
سلسله | - | - | HEXFET® | - |
نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 100 V | 100 V | 200 V |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 200 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
بارگیری داده های IRFU9110PBF PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای IRFU9110PBF - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.