مشخصات فناوری IRFP31N50LPBF
مشخصات فنی Vishay Siliconix - IRFP31N50LPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - IRFP31N50LPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AC | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 180mOhm @ 19A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 460W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 5000 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 210 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 31A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IRFP31 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix IRFP31N50LPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFP31N50LPBF | IRFP2907ZPBF | IRFP32N50K | IRFP3206PBF |
| سازنده | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 460W (Tc) | 310W (Tc) | 460W (Tc) | 280W (Tc) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 75 V | 500 V | 60 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 150µA |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسله | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 180mOhm @ 19A, 10V | 4.5mOhm @ 90A, 10V | 160mOhm @ 32A, 10V | 3mOhm @ 75A, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 5000 pF @ 25 V | 7500 pF @ 25 V | 5280 pF @ 25 V | 6540 pF @ 50 V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| شماره محصول پایه | IRFP31 | IRFP2907 | IRFP32 | IRFP3206 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 31A (Tc) | 90A (Tc) | 32A (Tc) | 120A (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 210 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
بارگیری داده های IRFP31N50LPBF PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای IRFP31N50LPBF - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
IRFP3006IRIRFP3170PBFIRIRFP2907ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 90A TO247ACIRFP32N50KVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 32A TO247-3IRFP330RBFIRIRFP3206PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO247ACIRFP3206IRIRFP31N05LIRIRFP32N50KPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
IRFP3206PBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP3077PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO247ACIRFP3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A TO247ACIRFP2907ZIRIRFP31N50LSIRIRFP31N50LVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 31A TO247-3IRFP3306IRIRFP3077IRIRFP3306PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO247AC| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.