مشخصات فناوری IRF644STRR
مشخصات فنی Vishay Siliconix - IRF644STRR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - IRF644STRR
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK (TO-263) | |
سلسله | - | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 280mOhm @ 8.4A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1300 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 68 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 14A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IRF644 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix IRF644STRR دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IRF644STRR | IRF6603 | IRF644STRL | IRF644STRLPBF |
سازنده | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 280mOhm @ 8.4A, 10V | 3.4mOhm @ 25A, 10V | 280mOhm @ 8.4A, 10V | 280mOhm @ 8.4A, 10V |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
سلسله | - | HEXFET® | - | - |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
کننده بسته بندی دستگاه | D²PAK (TO-263) | DIRECTFET™ MT | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DirectFET™ Isometric MT | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
شماره محصول پایه | IRF644 | - | IRF644 | IRF644 |
FET ویژگی | - | - | - | - |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | 30 V | 250 V | 250 V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 68 nC @ 10 V | 72 nC @ 4.5 V | 68 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
VGS (حداکثر) | ±20V | +20V, -12V | ±20V | ±20V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 14A (Tc) | 27A (Ta), 92A (Tc) | 14A (Tc) | 14A (Tc) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1300 pF @ 25 V | 6590 pF @ 15 V | 1300 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بارگیری داده های IRF644STRR PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای IRF644STRR - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.