مشخصات فناوری IRC630PBF
مشخصات فنی Vishay Siliconix - IRC630PBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay Siliconix - IRC630PBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-5 | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 400mOhm @ 5.4A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 74W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-5 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 800 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 43 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | Current Sensing | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IRC630 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay Siliconix IRC630PBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRC630PBF | IRC634PBF | IRC730PBF | IRC7139 |
| سازنده | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | IR |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 43 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 | - |
| بسته بندی / مورد | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 74W (Tc) | 74W (Tc) | 74W (Tc) | - |
| FET ویژگی | Current Sensing | Current Sensing | Current Sensing | - |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 250 V | 400 V | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 400mOhm @ 5.4A, 10V | 450mOhm @ 4.9A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 800 pF @ 25 V | 770 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| شماره محصول پایه | IRC630 | IRC634 | IRC730 | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9A (Tc) | 8.1A (Tc) | 5.5A (Tc) | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
بارگیری داده های IRC630PBF PDF و مستندات Vishay Siliconix را برای IRC630PBF - Vishay Siliconix بارگیری کنید.
| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.