مشخصات فناوری US1J-E3/5AT
مشخصات فنی Vishay General Semiconductor - Diodes Division - US1J-E3/5AT ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay General Semiconductor - Diodes Division - US1J-E3/5AT
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.7 V @ 1 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600 V | |
| تکنولوژی | Standard | |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-214AC (SMA) | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 75 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | DO-214AC, SMA | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 600 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 1A | |
| خازن @ VR، F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
| شماره محصول پایه | US1 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1J-E3/5AT دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | US1J-E3/5AT | US1J-TP | US1J-E3/61T | US1J M2G |
| سازنده | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| شماره محصول پایه | US1 | US1J | US1J | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| خازن @ VR، F | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 5µA @ 600V |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| تکنولوژی | Standard | Standard | Standard | - |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600 V | 600 V | 600 V | 600V |
| بسته بندی / مورد | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7V @ 1A |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 75 ns | 75 ns | 75 ns | 75ns |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
بارگیری داده های US1J-E3/5AT PDF و مستندات Vishay General Semiconductor - Diodes Division را برای US1J-E3/5AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division بارگیری کنید.
US1J/61TElectro-Films (EFI) / VishayUS1J-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
US1J-FLITEONUS1J-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACUS1J M2GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
US1J-R1-00101PANJITUS1J-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
US1J-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 1A SMA
US1J-13-F-73Diodes IncorporatedUS1J T/RPANJITUS1J-LF/2FElectro-Films (EFI) / VishayUS1J-5ATElectro-Films (EFI) / VishayUS1J-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 1A SMAUS1J 2K/RUS1JE-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACUS1J-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACUS1J R1PANJITUS1J/11TSMAD0214| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.