مشخصات فناوری UGF8JT-E3/45
مشخصات فنی Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGF8JT-E3/45 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGF8JT-E3/45
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.75 V @ 8 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600 V | |
| تکنولوژی | Standard | |
| کننده بسته بندی دستگاه | ITO-220AC | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 50 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | |
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 30 µA @ 600 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 8A | |
| خازن @ VR، F | - | |
| شماره محصول پایه | UGF8 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF8JT-E3/45 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | UGF8JT-E3/45 | UGF8JD | UGF10J | UGF8GT-E3/45 |
| سازنده | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| سلسله | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| خازن @ VR، F | - | - | - | - |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 30 µA @ 600 V | 500 nA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V |
| تکنولوژی | Standard | Standard | Standard | Standard |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| کننده بسته بندی دستگاه | ITO-220AC | ITO-220AC | ITO-220AC | ITO-220AC |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.75 V @ 8 A | 2.3 V @ 8 A | 2 V @ 10 A | 1.25 V @ 8 A |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 8A | 8A | 10A | 8A |
| شماره محصول پایه | UGF8 | - | - | UGF8 |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 50 ns | 30 ns | 25 ns | 50 ns |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600 V | 600 V | 600 V | 400 V |
بارگیری داده های UGF8JT-E3/45 PDF و مستندات Vishay General Semiconductor - Diodes Division را برای UGF8JT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division بارگیری کنید.
UGF30G-EZOWIEUGF8JDTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
UGF10GTElectro-Films (EFI) / VishayUGF2006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 400V ITO-220ABUGF2008GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 600V ITO-220ABUGF10JTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 10A ITO220ACUGF18DCTElectro-Films (EFI) / VishayUGF10KZOWIE
UGF8JCT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 600V 4A ITO220ABUGF8JTElectro-Films (EFI) / VishayUGF8DTElectro-Films (EFI) / VishayUGF30GZOWIEUGF12JTElectro-Films (EFI) / VishayUGF30AZOWIEUGF8HCT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 500V 4A ITO220ABUGF30JZOWIEUGF15JTElectro-Films (EFI) / VishayUGF8GT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.