مشخصات فناوری GB35XF120K
مشخصات فنی Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GB35XF120K ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GB35XF120K
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| ولتاژ - گردآورنده امیتر تفکیک (حداکثر) | 1200 V | |
| VCE (در) (حداکثر) @ VGE، آی سی | 3V @ 15V, 50A | |
| کننده بسته بندی دستگاه | - | |
| سلسله | - | |
| قدرت - حداکثر | 284 W | |
| بسته بندی / مورد | ECONO2 | |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| ترمیستور NTC | No |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| نصب و راه اندازی نوع | Chassis Mount | |
| خازن ورودی (CIES) @ VCE | 3.475 nF @ 30 V | |
| ورودی | Standard | |
| نوع IGBT | NPT | |
| در حال حاضر - قطع جریان گردآورنده (حداکثر) | 100 µA | |
| در حال حاضر - گردآورنده (IC) (حداکثر) | 50 A | |
| پیکر بندی | Three Phase Inverter | |
| شماره محصول پایه | GB35 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | GB35XF120K | FZ1800R12KF4S1 | GB35XF120K | VID75-12P1 |
| سازنده | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Infineon Technologies | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IXYS |
| نوع IGBT | NPT | Trench | NPT | NPT |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| در حال حاضر - گردآورنده (IC) (حداکثر) | 50 A | 2700 A | 50 A | 92 A |
| VCE (در) (حداکثر) @ VGE، آی سی | 3V @ 15V, 50A | 2.05V @ 15V, 1.8kA | 3V @ 15V, 50A | 3.2V @ 15V, 75A |
| ولتاژ - گردآورنده امیتر تفکیک (حداکثر) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| سلسله | - | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | ECONO2 | Module | ECONO2 | ECO-PAC2 |
| شماره محصول پایه | GB35 | - | GB35 | VID |
| قدرت - حداکثر | 284 W | 10500 W | 284 W | 379 W |
| در حال حاضر - قطع جریان گردآورنده (حداکثر) | 100 µA | 5 mA | 100 µA | 3.7 mA |
| نصب و راه اندازی نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ورودی | Standard | Standard | Standard | Standard |
| پیکر بندی | Three Phase Inverter | Single Switch | Three Phase Inverter | Single |
| خازن ورودی (CIES) @ VCE | 3.475 nF @ 30 V | 110 nF @ 25 V | 3.475 nF @ 30 V | 3.3 nF @ 25 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | - | AG-IHMB190 | - | ECO-PAC2 |
| ترمیستور NTC | No | No | No | Yes |
بارگیری داده های GB35XF120K PDF و مستندات Vishay General Semiconductor - Diodes Division را برای GB35XF120K - Vishay General Semiconductor - Diodes Division بارگیری کنید.
FZ1800R12KF4S1Infineon TechnologiesIGBT MODULEGB30XF60KIRIGBT ModuleGB35XF120KVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MODULE 1200V 50A 284WGB3000GIOEEVID75-12P1IXYSIGBT MOD 1200V 92A 379W ECO-PAC2GB30N90DNOIGBT Module
FMG1G100US60LFairchild SemiconductorIGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
APT150GN60JDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOPGB3RR311-1090-7HFOXCONN
CM800DU-12HPowerex Inc.IGBT MOD 600V 800A 1500WGB35R-40S-H08-E10000LSGB30RF60KIGBT ModuleVID25-06P1IXYSIGBT MOD 600V 24.5A 82W ECO-PAC2GB300DD120KIRIGBT ModuleGB30RF06KN/AIGBT ModuleFS100R17KS4FInfineon TechnologiesIGBT MOD 1700V 100A 960WGB30FF60KIRIGBT ModuleMITA30WB600TMHIXYSIGBT MODULE 1600V 40A MINIPACK2| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.