مشخصات فناوری BZD27C5V6P-E3-08
مشخصات فنی Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27C5V6P-E3-08 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27C5V6P-E3-08
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| ولتاژ - زنر (NOM) (VZ) | 5.6 V | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.2 V @ 200 mA | |
| تحمل | - | |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-219AB (SMF) | |
| سلسله | BZD27C | |
| قدرت - حداکثر | 800 mW |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | DO-219AB | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -65°C ~ 175°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| امپدانس (حداکثر) (Zzt به) | 4 Ohms | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 2 V | |
| شماره محصول پایه | BZD27C5V6 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C5V6P-E3-08 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | BZD27C5V6P-E3-08 | BZD27C62P-M-08 | BZD27C5V6P | BZD27C62P-M3-08 |
| سازنده | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Rectron USA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| قدرت - حداکثر | 800 mW | 800 mW | 800 mW | 800 mW |
| بسته بندی / مورد | DO-219AB | DO-219AB | SOD-123F | DO-219AB |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| سلسله | BZD27C | BZD27-M | - | BZD27-M |
| دمای عملیاتی | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | - | -65°C ~ 175°C |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | - | 1.2 V @ 200 mA |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 10 µA @ 2 V | 1 µA @ 47 V | 10 µA @ 2 V | 1 µA @ 47 V |
| تحمل | - | - | ±6% | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-219AB (SMF) | DO-219AB (SMF) | SOD-123FL | DO-219AB (SMF) |
| شماره محصول پایه | BZD27C5V6 | BZD27C62 | - | BZD27C62 |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ولتاژ - زنر (NOM) (VZ) | 5.6 V | 62 V | 5.6 V | 62 V |
| امپدانس (حداکثر) (Zzt به) | 4 Ohms | 80 Ohms | 2 Ohms | 80 Ohms |
بارگیری داده های BZD27C5V6P-E3-08 PDF و مستندات Vishay General Semiconductor - Diodes Division را برای BZD27C5V6P-E3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division بارگیری کنید.
BZD27C5V6P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C62P-M-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 62V 800MW DO219ABBZD27C56P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C5V6PRectron USADIODE ZENER 5.6V 800MW SOD-123FBZD27C62P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 62V 800MW DO219ABBZD27C5V1P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 5.1V 800MW DO219ABBZD27C5V1PRectron USADIODE ZENER 5.1V 800MW SOD-123F
BZD27C56PTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 56V 1W SUB SMABZD27C5V6P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 5.6V 800MW DO219ABBZD27C62P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C56P-R1-00001PANJITBZD27C5V1P-E3-08VishayBZD27C62P T/RPANJITBZD27C62P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 62V 800MW DO219ABBZD27C56P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 56V 800MW DO219ABBZD27C5V6P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 5.6V 800MW DO219ABBZD27C68PTaiwan Semiconductor CorporationSUB SMA, 1000MW, 6%, ZENER DIODEBZD27C5V1P-GS08Electro-Films (EFI) / Vishay| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.