مشخصات فناوری BYG24J-E3/TR3
مشخصات فنی Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYG24J-E3/TR3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYG24J-E3/TR3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.25 V @ 1.5 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600 V | |
| تکنولوژی | Avalanche | |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-214AC (SMA) | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 140 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | DO-214AC, SMA | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 1 µA @ 600 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 1.5A | |
| خازن @ VR، F | - | |
| شماره محصول پایه | BYG24 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG24J-E3/TR3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | BYG24J-E3/TR3 | BYG24J-E3/TR | BYG24G-E3/TR | BYG24D-E3/TR |
| سازنده | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.25 V @ 1.5 A | 1.25 V @ 1.5 A | 1.25 V @ 1.5 A | 1.25 V @ 1.5 A |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 140 ns | 140 ns | 140 ns | 140 ns |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| شماره محصول پایه | BYG24 | BYG24 | BYG24 | BYG24 |
| بسته بندی / مورد | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600 V | 600 V | 400 V | 200 V |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 1.5A | 1.5A | 1.5A | 1.5A |
| خازن @ VR، F | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| تکنولوژی | Avalanche | Avalanche | Avalanche | Avalanche |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 200 V |
بارگیری داده های BYG24J-E3/TR3 PDF و مستندات Vishay General Semiconductor - Diodes Division را برای BYG24J-E3/TR3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division بارگیری کنید.
BYG24J-E3/HE3Electro-Films (EFI) / VishayBYG24G-E3/HE3Electro-Films (EFI) / Vishay
BYG26DLUMILEDS
BYG26G115WeEn Semiconductors Co., LtdBYG24J-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 600V 1.5A DO214ACBYG24DElectro-Films (EFI) / Vishay
BYG50BFreescale / NXP SemiconductorsBYG24JElectro-Films (EFI) / VishayBYG50JFreescale / NXP SemiconductorsBYG24G-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 400V 1.5A DO214ACBYG50DLUMILEDSBYG23THM3Electro-Films (EFI) / VishayBYG24D-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 200V 1.5A DO214ACBYG24GElectro-Films (EFI) / Vishay
BYG50GBYG26GFreescale / NXP SemiconductorsBYG26D-E3/TRBYG26JFreescale / NXP Semiconductors| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.