مشخصات فناوری MBR2560CT
مشخصات فنی Taiwan Semiconductor Corporation - MBR2560CT ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Taiwan Semiconductor Corporation - MBR2560CT
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Taiwan Semiconductor | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 750 mV @ 25 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 60 V | |
| تکنولوژی | Schottky | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| پیکربندی دیود | 1 Pair Common Cathode | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 200 µA @ 60 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) (در هر دیود) | 25A | |
| شماره محصول پایه | MBR2560 |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | 1 (Unlimited) |
| وضعیت رسیدن | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Taiwan Semiconductor Corporation MBR2560CT دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | MBR2560CT | MBR2550CT | MBR2545CTG | MBR2560CT-E3/45 |
| سازنده | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| تکنولوژی | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 60 V | 50 V | 45 V | 60 V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) (در هر دیود) | 25A | 15A | 15A | 15A |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 750 mV @ 25 A | 750 mV @ 15 A | 620 mV @ 15 A | 750 mV @ 15 A |
| شماره محصول پایه | MBR2560 | MBR2550 | MBR2545 | MBR2560 |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| پیکربندی دیود | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 200 µA @ 60 V | 1 mA @ 50 V | 200 µA @ 45 V | 1 mA @ 60 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | TO-220-3 | TO-220 | TO-220-3 |
| سلسله | - | - | SWITCHMODE™ | - |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
بارگیری داده های MBR2560CT PDF و مستندات Taiwan Semiconductor Corporation را برای MBR2560CT - Taiwan Semiconductor Corporation بارگیری کنید.
MBR2550CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO220AB
MBR2545CTG/B2545GAMI Semiconductor/onsemiMBR2545CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR2560CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
MBR260LSFT1GMSVMBR28045VMOTOROLAIGBT ModuleMBR2545CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR2560CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR2560CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR2545CTGB2545GAMI Semiconductor/onsemiMBR2H100SFT1GAMI Semiconductor/onsemiMBR2545GAMI Semiconductor/onsemi
MBR2560CT-E3/4WElectro-Films (EFI) / VishayMBR2560CT T/PPANJITMBR25H45CTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR28045IGBTIGBT ModuleMBR2550CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO220ABMBR2545CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.