مشخصات فناوری NP55N03SUG-E1-AY
مشخصات فنی Renesas Electronics America Inc - NP55N03SUG-E1-AY ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Renesas Electronics America Inc - NP55N03SUG-E1-AY
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Renesas Electronics Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252 (MP-3ZK) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5mOhm @ 28A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.2W (Ta), 77W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 5300 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 93 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Renesas Electronics America Inc NP55N03SUG-E1-AY دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NP55N03SUG-E1-AY | NP52N06SLG-E1-AY | NP50P06SDG-E1-AY | NP52N06SLG |
| سازنده | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America | Renesas Electronics America Inc | RENE |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 55A (Tc) | 60V | 50A (Tc) | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | - | P-Channel | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 17.5 mOhm @ 26A, 10V | 2.5V @ 250µA | - |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.2W (Ta), 77W (Tc) | - | 1.2W (Ta), 84W (Tc) | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 93 nC @ 10 V | - | 100 nC @ 10 V | - |
| دمای عملیاتی | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| FET ویژگی | - | N-Channel | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252 (MP-3ZK) | - | TO-252 (MP-3ZK) | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5mOhm @ 28A, 10V | 52A (Tc) | 16.5mOhm @ 25A, 10V | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 5300 pF @ 25 V | 39nC @ 10V | 5000 pF @ 10 V | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | - | 60 V | - |
بارگیری داده های NP55N03SUG-E1-AY PDF و مستندات Renesas Electronics America Inc را برای NP55N03SUG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc بارگیری کنید.
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 60V 52A TO252NP52N06SLGRENENP55N03SUG MOSNECNP55N03SUGRENENP55N04SUG MOSRenesas Electronics CorporationNP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 60V 50A TO-252NP55N04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationNP55N04SUGRENENP55N055SDGVBSEMINP55N055SDG-E1NECNP55N03SUG-E2-AYRenesas Electronics CorporationNP50P06SDGVBSEMINP55N04SUG-E1-AYRENENP50P06SDG MOSRenesas Electronics CorporationNP55N04SUG-E1-AZRenesas Electronics CorporationNP52N055SUGRENENP55N04SUG-E2-AYRENENP52N055SUG MOSRenesas Electronics Corporation| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.