مشخصات فناوری NP22N055SLE-E1-AY
مشخصات فنی Renesas Electronics America Inc - NP22N055SLE-E1-AY ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Renesas Electronics America Inc - NP22N055SLE-E1-AY
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Renesas Electronics Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252 (MP-3ZK) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 37mOhm @ 11A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1100 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 23 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 55 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 22A (Ta) |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | 1 (Unlimited) |
| وضعیت رسیدن | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Renesas Electronics America Inc NP22N055SLE-E1-AY دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NP22N055SLE-E1-AY | NP2301BVR-G | NP2301AMR | NP22N055ILE |
| سازنده | Renesas Electronics America Inc | LN | LN | Freescale / NXP Semiconductors |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 22A (Ta) | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 55 V | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 23 nC @ 5 V | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | - | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 37mOhm @ 11A, 10V | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1100 pF @ 25 V | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | - | - |
| دمای عملیاتی | 175°C (TJ) | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252 (MP-3ZK) | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) | - | - | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | - | - | - |
بارگیری داده های NP22N055SLE-E1-AY PDF و مستندات Renesas Electronics America Inc را برای NP22N055SLE-E1-AY - Renesas Electronics America Inc بارگیری کنید.
NP2301BVR-GLNNP2301AMRLNNP22N055ILEFreescale / NXP SemiconductorsNP2301AVR-GLNNP22N055HLEVBSEMINP22N055 MOSNEC
NP2300SCT3GonsemiTHYRISTOR 190V 100A DO214AANP2301FVR-J-GNATLINEARNP22N055SLERENENP22N055HHEVBSEMINP22N055IHERENENP2302FVR-J-GNATLINEARNP22N055SHERENENP2300VR-M-GLN
NP22N055SHE-E1Renesas Electronics CorporationNP2301AMR-GLNNP22N055SLE-E1NECNP2300MR-Y-GLN| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.