مشخصات فناوری HAT2279N-EL-E
مشخصات فنی Renesas Electronics America Inc - HAT2279N-EL-E ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Renesas Electronics America Inc - HAT2279N-EL-E
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Renesas Electronics Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-LFPAK-iV | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 12.3mOhm @ 15A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 25W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3520 pF @ 10 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Renesas Electronics America Inc HAT2279N-EL-E دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | HAT2279N-EL-E | HAT2267H-EL-E | HAT2299WP-EL-E | HAT2287WP-EL-E |
| سازنده | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-LFPAK-iV | LFPAK | 8-WPAK (3) | 8-WPAK (3) |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | 80 V | 150 V | 200 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 12.3mOhm @ 15A, 10V | 16mOhm @ 12.5A, 10V | 110mOhm @ 7A, 10V | 94mOhm @ 8.5A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V |
| بسته بندی / مورد | 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) | SC-100, SOT-669 | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 25W (Tc) | 25W (Tc) | 25W (Tc) | 30W (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | - | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 30A (Ta) | 25A (Ta) | 14A (Ta) | 17A (Ta) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3520 pF @ 10 V | 2150 pF @ 10 V | 710 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
HAT2276R-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2285WP-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2280R-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2275RRenesas Electronics CorporationHAT2267H-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 80V 25A LFPAKHAT3004RHITACHIHAT2299WP-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 150V 14A 8WPAKHAT25AAJRenesas Electronics CorporationHAT2281C-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2270H-ELHITACHIHAT2287WP-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 200V 17A 8WPAKHAT2275R-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2270H-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2285WPRenesas Electronics CorporationHAT2292C-ELRenesas Electronics CorporationHAT2276RRenesas Electronics CorporationHAT2279H-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 80V 30A LFPAKHAT2279H-ELRenesas Electronics Corporation| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.