مشخصات فناوری 1SD418F2-FZ1200R33KL2C
مشخصات فنی Power Integrations - 1SD418F2-FZ1200R33KL2C ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Power Integrations - 1SD418F2-FZ1200R33KL2C
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Power Integrations | |
| ولتاژ - تامین | 14.5V ~ 15.5V | |
| کننده بسته بندی دستگاه | Module | |
| سلسله | SCALE™-1 | |
| ظهور / پاییز زمان (نوع) | 100ns, 100ns | |
| بسته بندی / مورد | Module | |
| بسته بندی کردن | Box | |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| فرکانس ورودی | 1 |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| نصب و راه اندازی نوع | Chassis Mount | |
| منطق ولتاژ - VIL، VIH | - | |
| نوع ورودی | - | |
| نوع گیت | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| پیکربندی رانده | Half-Bridge | |
| کنونی - خروجی اوج (منبع، مخزن) | 18A, 18A | |
| بیس-امیتر اشباع ولتاژ (حداکثر) | Single | |
| شماره محصول پایه | 1SD418F2 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Power Integrations 1SD418F2-FZ1200R33KL2C دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 1SD418F2-FZ1200R33KL2C | 1SD418F2-FZ1500R25KF1 | 1SD418F2-FX800R33KF2 | 1SD418F2-FZ1200R33KF2 |
| سازنده | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations |
| منطق ولتاژ - VIL، VIH | - | - | - | - |
| پیکربندی رانده | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| سلسله | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 |
| ولتاژ - تامین | 14.5V ~ 15.5V | 14.5V ~ 15.5V | 14.5V ~ 15.5V | 14.5V ~ 15.5V |
| فرکانس ورودی | 1 | 1 | 1 | 1 |
| کننده بسته بندی دستگاه | Module | Module | Module | Module |
| بسته بندی / مورد | Module | Module | Module | Module |
| ظهور / پاییز زمان (نوع) | 100ns, 100ns | 100ns, 100ns | 100ns, 100ns | 100ns, 100ns |
| شماره محصول پایه | 1SD418F2 | 1SD418F2 | 1SD418F2 | 1SD418F2 |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| بسته بندی کردن | Box | Box | Box | Box |
| نوع گیت | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| کنونی - خروجی اوج (منبع، مخزن) | 18A, 18A | 18A, 18A | 18A, 18A | 18A, 18A |
| نصب و راه اندازی نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| نوع ورودی | - | - | - | - |
| بیس-امیتر اشباع ولتاژ (حداکثر) | Single | Single | Single | Single |
بارگیری داده های 1SD418F2-FZ1200R33KL2C PDF و مستندات Power Integrations را برای 1SD418F2-FZ1200R33KL2C - Power Integrations بارگیری کنید.
1SD418F2-FZ1500R25KF1Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
1SD210F2_ManualCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module1SD536D2IGBTIGBT Module1SD536F2-FD1000R33HE3-KPIIGBT Module1SD418F2_ManualCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module1SD536F2-5SNA2400E170100PIIGBT Module1SD418F2-FX800R33KF2Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE1SD418F2-FZ1200R33KF2Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE1SD418F2-FX800R33KF1Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE1SD418F2-FZ2400R17KF6Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE1SD536F2-CM1200HBPIIGBT Module1SD210F2-FX400R65KF2Power IntegrationsIGBT DRIVER P/P 1CH1SD210F2-FZ600R65KF2Power IntegrationsIGBT DRIVER P/P 1CH1SD210F2-FZ600R65KF1Power IntegrationsIGBT DRIVER P/P 1CH1SD418F2-FZ1200R33KL2CONCEPTIGBT Module1SD418F2-FZ1200R33KF1Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE1SD536F2-CM1200E4C-34NCONCEPTIGBT Module1SD536F2-CM2400HC-34NPIIGBT Module| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.