مشخصات فناوری TN5335N8-G
مشخصات فنی Microchip Technology - TN5335N8-G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Microchip Technology - TN5335N8-G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Microchip Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-243AA (SOT-89) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 15Ohm @ 200mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.6W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-243AA | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 110 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 3V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 350 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 230mA (Tj) | |
| شماره محصول پایه | TN5335 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Microchip Technology TN5335N8-G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | TN5335N8-G | TN5325N8-G | TN5325N3-G | TN5335K1-G |
| سازنده | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 110 pF @ 25 V | 110 pF @ 25 V | 110 pF @ 25 V | 110 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag | Tape & Reel (TR) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 230mA (Tj) | 316mA (Tj) | 215mA (Ta) | 110mA (Tj) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| شماره محصول پایه | TN5335 | TN5325 | TN5325 | TN5335 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 3V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 3V, 10V |
| سلسله | - | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 740mW (Ta) | 360mW (Ta) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | TO-243AA | TO-243AA | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 15Ohm @ 200mA, 10V | 7Ohm @ 1A, 10V | 7Ohm @ 1A, 10V | 15Ohm @ 200mA, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 350 V | 250 V | 250 V | 350 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-243AA (SOT-89) | TO-243AA (SOT-89) | TO-92-3 | SOT-23 (TO-236AB) |
بارگیری داده های TN5335N8-G PDF و مستندات Microchip Technology را برای TN5335N8-G - Microchip Technology بارگیری کنید.
TN5325N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA
TN5D01A-HCC11-EonsemiIC REG BUCK ADJ 5A TO-220FLTN5D51A-HB11-EonsemiIC REG BUCK 12V 5A TO220FL
TN5D01AMI Semiconductor/onsemi
TN5325NB-GSUPERTEXTN5325N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3TN5D51-HB11-EAMI Semiconductor/onsemiTN5D51AMI Semiconductor/onsemiTN50F110-12LAMBDAIGBT ModuleTN5335K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 350V 110MA SOT23TN5325K1SUPERTEXTN5325N3SUPERTEXTN50F110-5LAMBDAIGBT ModuleTN5D41A-HB11-EonsemiIC REG BUCK 5V 5A TO220FLTN5D41TN5D41-HB11-EAMI Semiconductor/onsemiTN5325K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
TN5C090-60Intel| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.