مشخصات فناوری TN0610N3-G
مشخصات فنی Microchip Technology - TN0610N3-G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Microchip Technology - TN0610N3-G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Microchip Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-92-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.5Ohm @ 750mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| بسته بندی کردن | Bag |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 150 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 3V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 500mA (Tj) | |
| شماره محصول پایه | TN0610 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Microchip Technology TN0610N3-G دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | TN0610N3-G | TN0620N3-G | TN0640N3 | TN0702N3 |
| سازنده | Microchip Technology | Microchip Technology | Electro-Films (EFI) / Vishay | SUPERTEX |
| شماره محصول پایه | TN0610 | TN0620 | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-92-3 | TO-92-3 | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 500mA (Tj) | 250mA (Tj) | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 150 pF @ 25 V | 150 pF @ 25 V | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1W (Tc) | 1W (Tc) | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 1mA | 1.6V @ 1mA | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Bag | Bag | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.5Ohm @ 750mA, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 3V, 10V | 5V, 10V | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 200 V | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
بارگیری داده های TN0610N3-G PDF و مستندات Microchip Technology را برای TN0610N3-G - Microchip Technology بارگیری کنید.
TN0640N3Electro-Films (EFI) / VishayTN0702N3SUPERTEXTN05-3T103JRMITSUBISHITN0604WGGSUPERTETN0610N3SUPERTEXTN0620N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3TN0604N3SUPERTEX
TN0604N3-GMicrochip
TN071CDRTexas InstrumentsTN0606N3SUPERTEXTN0620N5SITN05-4R474JRMITSUBISHITN0610N5SI
TN0610T-T1Silicon PowerTN05-4B473JRTN0524N2SUPERTEXTN0606N5SUPERTEXTN0620N3SUPERTEX| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.