مشخصات فناوری TN0104N8-G
مشخصات فنی Microchip Technology - TN0104N8-G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Microchip Technology - TN0104N8-G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Microchip Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.6V @ 500µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-243AA (SOT-89) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2Ohm @ 1A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.6W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-243AA | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 70 pF @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 3V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 630mA (Tj) | |
| شماره محصول پایه | TN0104 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Microchip Technology TN0104N8-G دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | TN0104N8-G | TN0200K-T1-E3 | TN0104N3-G | TN0104N3-G-P014 |
| سازنده | Microchip Technology | Vishay Siliconix | Microchip Technology | Microchip Technology |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | 20 V | 40 V | 40 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.6V @ 500µA | 1V @ 50µA | 1.6V @ 500µA | 1.6V @ 500µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 70 pF @ 20 V | - | 70 pF @ 20 V | 70 pF @ 20 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.6W (Tc) | - | 1W (Tc) | 1W (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-243AA (SOT-89) | SOT-23-3 (TO-236) | TO-92-3 | TO-92-3 |
| بسته بندی / مورد | TO-243AA | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| شماره محصول پایه | TN0104 | TN0200 | TN0104 | TN0104 |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 3V, 10V | - | 3V, 10V | 3V, 10V |
| سلسله | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2Ohm @ 1A, 10V | 400mOhm @ 600mA, 4.5V | 1.8Ohm @ 1A, 10V | 1.8Ohm @ 1A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 630mA (Tj) | 730mA (Ta) | 450mA (Ta) | 450mA (Ta) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Bag | Tape & Box (TB) |
بارگیری داده های TN0104N8-G PDF و مستندات Microchip Technology را برای TN0104N8-G - Microchip Technology بارگیری کنید.
TN0200T MOSElectro-Films (EFI) / VishayTN0200K-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayTN0200K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V SOT23-3TN0104N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3TN0200T-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
TN0200KSK/VISHTN0110N3SUPERTEXTN0106N3SUPERTEXINCTN0104N8SUPERTEXTN0104N3-G-P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3TN0106N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3TN0200T-T1-E3VBSEMITN0200TS-T1-E3VBSEMI
TN0110N3-GMicrochipTN0106N3-G-P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3TN0104N3SUPERTEXTN0200T-T1SILICONIXTN0200TMAGEPOWER| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.