مشخصات فناوری APTM100A13SG
مشخصات فنی Microchip Technology - APTM100A13SG ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Microchip Technology - APTM100A13SG
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Microchip Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 6mA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SP6 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 156mOhm @ 32.5A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 1250W | |
| بسته بندی / مورد | SP6 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Chassis Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 15200pF @ 25V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 562nC @ 10V | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 1000V (1kV) | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 65A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| شماره محصول پایه | APTM100 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Microchip Technology APTM100A13SG دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | APTM100A13SG | APTM10AM02FG | APTM100A13DG | APTM20AM04FG |
| سازنده | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 156mOhm @ 32.5A, 10V | 2.5mOhm @ 200A, 10V | 156mOhm @ 32.5A, 10V | 5mOhm @ 186A, 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 15200pF @ 25V | 40000pF @ 25V | 15200pF @ 25V | 28900pF @ 25V |
| کننده بسته بندی دستگاه | SP6 | SP6 | SP6 | SP6 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 65A | 495A | 65A | 372A |
| نصب و راه اندازی نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 562nC @ 10V | 1360nC @ 10V | 562nC @ 10V | 560nC @ 10V |
| شماره محصول پایه | APTM100 | APTM10 | APTM100 | APTM20 |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| قدرت - حداکثر | 1250W | 1250W | 1250W | 1250W |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 6mA | 4V @ 10mA | 5V @ 6mA | 5V @ 10mA |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | SP6 | SP6 | SP6 | SP6 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 1000V (1kV) | 100V | 1000V (1kV) | 200V |
| سلسله | - | - | - | - |
بارگیری داده های APTM100A13SG PDF و مستندات Microchip Technology را برای APTM100A13SG - Microchip Technology بارگیری کنید.
APTK2012MWCKingbrightAPTM10AM02FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 495A SP6APTM100A13DGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6APTM20AM04FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 372A SP6APTL3216QBCKINGRIGHTAPTM100UM65SAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 145A SP6APTM20UM03FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 580A SP6APTM10UM01FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 860A SP6APTM10UM02FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 570A SP6APTHC1154APTIGBT Module
APTH020A0X3-SRZABB Power Electronics Inc.DC DC CONVERTER 0.6-3.6V 72WAPTM100UM45FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 215A SP6APTLGF100X120BAPTIGBT ModuleAPTM100UM65S-ALNMICROSEIGBT Module
APTM100A13SCGMicrosemiAPTL3216-TD83KingbrightAPTM10UM01FGAPTIGBT ModuleAPTL3216LNY62Kingbright| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.