مشخصات فناوری US6J11TR
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - US6J11TR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - US6J11TR
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 1mA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TUMT6 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 320mW | |
| بسته بندی / مورد | 6-SMD, Flat Leads | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 290pF @ 6V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.4nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 12V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.3A | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | US6J11 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor US6J11TR دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | US6J11TR | US6K2TR | US6J2TR | US6J12TCR |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| شماره محصول پایه | US6J11 | US6K2 | US6J2 | US6J12 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.4nC @ 4.5V | 2nC @ 5V | 2.1nC @ 4.5V | 7.6nC @ 4.5V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 290pF @ 6V | 70pF @ 10V | 150pF @ 10V | 850pF @ 6V |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| قدرت - حداکثر | 320mW | 1W | 1W | 910mW (Ta) |
| بسته بندی / مورد | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads | 6-SMD, Flat Leads |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V | 240mOhm @ 1.4A, 10V | 390mOhm @ 1A, 4.5V | 105mOhm @ 2A, 4.5V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | 1V @ 1mA |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.3A | 1.4A | 1A | 2A (Ta) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 12V | 30V | 20V | 12V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TUMT6 | TUMT6 | TUMT6 | TUMT6 |
بارگیری داده های US6J11TR PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای US6J11TR - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
US6K4/TRLAPIS TechnologyUS6J11 TCRLAPIS TechnologyUS6K31LAPIS Technology
US63EVK MLX90250CBMelexisUS6K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6US6J2/TRLAPIS TechnologyUS6K1/TRLAPIS TechnologyUS6J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6US6J12TCRRohm Semiconductor1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1US6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6US6J11LAPIS TechnologyUS6K1 TCRLAPIS TechnologyUS6J11/TRLAPIS TechnologyUS6K4 FU7TRLAPIS TechnologyUS6K1TR MOSLAPIS TechnologyUS6K2 TCRLAPIS TechnologyUS6J11TR MOSLAPIS TechnologyUS6330-0P2-TUINSENSE| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.